超高真空（UHV）溅射系统，用于单面沉积贵金属
特征：
磁控溅射
电阻蒸发
至多安装4种技术设备的可能性
底物的系统加热高达400℃
圆盘型基材支架（水平）
超高真空版
技术数据：
技术设备：
DC磁控管
离子光束清洁源
电阻蒸发系统
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